在人工智能與大數據技術驅動存儲需求指數級增長的產業(yè)變革期，新存科技于近日重磅推出新一代內存級存儲芯片NM111。這款采用全自主知識產權三維集成技術的突破性產品，憑借64Gb超大容量、低延遲及高耐久性等核心指標，達到國際領先水平，為我國構建自主可控的存儲產業(yè)生態(tài)注入強勁動能。

作為國內首款具備內存級性能的新型存儲芯片，NM111通過先進的三維垂直堆疊架構與納米級互聯技術，實現64Gb超大容量，存儲密度較傳統(tǒng)DRAM提升數倍。該芯片支持內存語義訪問，支持隨機讀寫操作，讀取延時低至百納秒，帶寬高達3.2Gbps，可廣泛應用于服務器內存擴展、數據庫緩存等場景。其突破性的非易失特性更可實現斷電數據保護，在元數據存儲等關鍵領域將系統(tǒng)性能提升至全新維度。

新存科技于2024年9月和2025年初分別發(fā)布首款64Gb國內最大容量三維新型存儲級芯片NM101，和128Gb的升級產品NM102。此次發(fā)布的NM111屬于全新持久內存芯片系列，在性能和可靠性方面實現全面提升。基于公司在設計、材料、工藝、器件、測試等多方面的持續(xù)創(chuàng)新，NM111耐久度較前作提升超10倍，抗干擾能力大幅增強，可滿足客戶各種內存應用場景的需求。

NM111采用創(chuàng)新的架構設計，憑借大容量、低延遲、高壽命等優(yōu)勢，為AI大模型推理提供多維度的優(yōu)化方向，大幅提升計算與存儲的融合效率，更好地服務于大算力數據中心和云服務基礎設施。搭配合作伙伴的系統(tǒng)解決方案，NM111可使數據存儲在相同投入下存得更多、存得更快、存得更久。終端客戶的測試結果顯示，配合先進的系統(tǒng)接口協議，該芯片賦能高性能模組，可支持超大容量內存空間，為系統(tǒng)解決方案提供無限可能。

新存科技在大容量新型存儲芯片領域堅持自主研發(fā)、持續(xù)更新迭代，未來還將推出更多系列的芯片產品。公司將與上下游合作伙伴深度合作，在新型存儲芯。